Antistatische Maßnahmen für Instrumente

May 07, 2025 Eine Nachricht hinterlassen

Antistatische Maßnahmen für Instrumente

(1) Schließen Sie einen externen Widerstand in Reihe an jedem Eingang des MOS -Geräts an.
(2) Alle verschiedenen Eingangsleitungen des MOS -Geräts können nicht schwebend gelassen werden und sollten an die Strom-, Leistungs- (Quelle) und die Stromversorgung (Drain) VDD gemäß verschiedenen Schaltungen angeschlossen werden.
(3) Die Ausgabe des CMOS-Geräts (mit Ausnahme des analogen Schalters) kann durch einen Widerstand von der Kabelleitung getrennt werden, und die Schaltung kann mit zwei Hochgeschwindigkeitsschaltdioden auf VSS oder VDD geklemmt werden.
(4) Bei Verwendung langer Eingangskabel sollte ein Filternetzwerk verwendet werden.
(5) Bei der Eingabe von empfindlichen bipolaren Komponenten der elektrostatischen Entladung (ESD) (5), wird ein RC -Netzwerk aus einem Widerstand mit einem großen Widerstandswert und einem Kondensator mit einer Kapazität von mindestens 1 0 0PF extern angeschlossen, um den Einfluss der elektrostatischen Entladung (ESD) zu verringern. Wenn die Schaltungseigenschaften angegeben werden, können zwei parallele Dioden auch zur Klemme von 0,5 V Spannung bei jeder Polarität verwendet werden, um den Eingang auf den Boden zu schütteln.
(6) Es ist nicht erlaubt, die auf gedruckten Leiterplatten installierten Kabel von ESD -empfindlichen Komponenten direkt an die Klemmen elektrischer Stecker ohne Schutzschaltung anzuschließen.

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(7) Die Grenzflächenschaltungen von Instrumenten und Geräten sollten die ESD -Empfindlichkeitsniveau 3 oder unempfindliche Komponenten so weit wie möglich verwenden.
(8) Externe elektrische Anschlüsse von Instrumenten und Geräten, die mit ESD -Sensitive Circuits verbunden sind, sollten mit ESD -Schutzkappen (Abdeckungen) ausgestattet werden.
(9) Tastaturen, Kontrollpaneele, manuelle Bedienelemente, Schalter und Verriegelungsgeräte, die mit sensiblen Produkten an ESD angeschlossen sind, sollten so ausgelegt sein, dass sie die statische Ladung am menschlichen Körper direkt durch den Gehäusedraht entladen.
(10) Komponenten und Hybridschaltkreise sollten angeordnet werden, um ESD -empfindliche Komponenten von Komponenten fernzuhalten, die elektrostatische Felder wie Abgabventilatoren erzeugen, und bei Bedarf sollten bei Bedarf eine elektrostatische Unterdrückungstechnologie und elektrostatische Abschirmtechnologie verwendet werden.
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(12) Wenn die Chassis -Hülle überlappt wird, auch wenn der Überlappungswiderstand 0. 1 ω ist, gibt es bei der Überlappung eine 3 -V -Spannung, dh das Referenzpotential verschiedener Schaltungen unterscheidet sich um 3 V. Die Lösung besteht darin, eine einzelne Erdung zu verwenden und sich so weit wie möglich überlappend zu vermeiden.